[发明专利]一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器在审
| 申请号： | 202211143999.6 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115373082A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李青云;胡卉;张洪湖;朱厚彬 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02B6/30 | 分类号： | G02B6/30;G02B6/26;G02B6/122 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器。本发明的端面耦合器采用倒锥形的波导结构来扩大波导的模式直径，同时采用透镜光纤(将单模光纤的模式直径缩小到2.5μm左右)来实现与光波导的耦合。本发明的耦合器具有低插入损耗，对偏振不敏感，大的操作带宽和结构稳定的特点。有助于Si‑LNOI平台在集成光学中的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铌酸锂 复合 薄膜 端面 耦合器 | ||
【主权项】：
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