[发明专利]一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法在审
| 申请号： | 202211145953.8 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115418716A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 王金忠;张殷泽;赵晨晨;王东博 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/46;C30B29/64 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 王新雨 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 碲化铋单 晶片 cvd 制备 方法 | ||
【主权项】：
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