[发明专利]基于电子掺杂量子点的单光子源及其制备方法有效
| 申请号： | 202211154587.2 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115236866B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘桂芝;吴国平;吴春达;蒋小强 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B27/28 | 分类号： | G02B27/28;C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明提供一种基于电子掺杂量子点的单光子源及其制备方法，基于电子掺杂量子点的单光子源依次包括：基板、下高反镜、内含电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的二氧化硅层及上高反镜，以及安置于上高反镜垂直上方的油浸物镜、偏振分束器及激发激光器；内含电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的二氧化硅层由二氧化硅膜及单个电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点组成；单个电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点包括直径小于4nm的掺杂了1个电子的硒化银核；激发激光器发射的光子能量与电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的禁带宽度相同。本发明可获得在室温下工作的超高纯度、高全同性、偏振方向确定、高效率、工作在通信波长内及环保的单光子源。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子 掺杂 量子 光子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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