[发明专利]一种RRAM阵列的读取电路及读取方法有效
| 申请号： | 202211155763.4 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115424647B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 许晓欣;赖锦茹;孙文绚;郑旭;董大年;余杰;樊韶阳;庞婉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 庞许倩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种RRAM阵列读取电路及读取方法，属于半导体存储器技术领域，解决了现有技术中参考单元使RRAM芯片面积变大，成本变高，功耗较大，RRAM可靠性差的问题。一种RRAM阵列读取电路包括：RRAM阵列，字线控制单元，位线源线控制单元，多路复用选择器，放大反相单元；RRAM阵列中每个RRAM单元的源线均用于输入读取电压；每个字线连接字线控制单元；字线控制单元和位线源线控制单元用于对外界输入信号进行译码；多路复用选择器，用于对阵列中要读取单元的输出电压信号进行选择，并传输到放大反相单元；放大反相单元有若干路，用于检测放大电压差异，并转换为信号0/1输出RRAM存储的数据。本发明实现了无需参考单元，节省芯片面积，降低功耗，缩减成本的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rram 阵列 读取 电路 方法 | ||
【主权项】：
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