[发明专利]改善覆盖MIM电容的层间介质层填充形态的方法在审
| 申请号： | 202211155852.9 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115579349A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王妍;唐阿鑫;管毓崧;李琳;李宗旭;梁金娥;张守龙 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L27/01 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种改善覆盖MIM电容的层间介质层填充形态的方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成有多个MIM电容；在衬底上形成缓冲层，覆盖MIM电容；在衬底上形成层间介质层。根据本申请，通过先沉积缓冲层再实施HDP工艺的方式形成覆盖MIM电容的层间介质层，可以有效防止层间介质层出现孔洞、裂隙等情况，显著改善层间介质层在MIM电容之间的间隙和MIM电容上下电极交界的拐角处的填充形态。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 覆盖 mim 电容 介质 填充 形态 方法 | ||
【主权项】：
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