[发明专利]基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件在审
| 申请号： | 202211167513.2 | 申请日： | 2022-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN115407532A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡鑫伦;张仙 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;G02F1/015;G02B6/122;G02B6/34;G02B6/14 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合；III‑V有源波导层上覆盖有N型金属电极和P型金属电极。本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 集成 薄膜 铌酸锂片上 耦合 结构 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
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