[发明专利]CMOS图像传感器的制作方法

摘要

本发明提供一种CMOS图像传感器的制作方法。该制作方法包括：提供包括第一区和第二区的基底，基底上表面形成有硬掩模层；在硬掩模层上形成芯模结构；在芯模结构的侧壁形成侧墙，去除芯模结构，第一区上相邻的侧墙之间具有第一间距，第二区上相邻的侧墙之间具有第二间距；以第一区和/或第二区作为修整区，通过刻蚀工艺修整修整区上的侧墙的轮廓；以侧墙为掩模，刻蚀硬掩模层和基底，在第一区和第二区的基底中分别形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽，其中，通过修整修整区上的侧墙的轮廓，以形成设定截面形状的沟槽。如此，可以同时形成尺寸较小且深度不同的沟槽，且沟槽的截面形状可控。