[发明专利]外源Si在提高Cd胁迫下叶菜品质中的应用在审
| 申请号： | 202211174183.X | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115486283A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 魏婷;李红;郭军康;花莉;任心豪;贾红磊 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | A01G7/06 | 分类号： | A01G7/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了外源Si在提高Cd胁迫下叶菜品质指标中的应用，属于蔬菜种植安全领域。外源Si在提高Cd胁迫下叶菜品质指标中的应用，促进Cd胁迫下叶菜的正常生长，缓解叶菜的生长抑制，使得根长和株高以及干重和鲜重都有不同程度地增加。此外，在Si的作用下，不仅能降低Cd胁迫下叶菜中Cd的累积，还能增加叶菜中可溶性糖、可溶性蛋白和维生素C的含量，对叶菜的安全生产和营养价值提高具有积极意义。 | ||
| 搜索关键词： | 外源 si 提高 cd 胁迫 下叶 菜品 中的 应用 | ||
【主权项】：
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