[发明专利]一种共用DBR的多波长VCSEL激光器芯片有效
| 申请号： | 202211175238.9 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115275783B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 鄢静舟;季晓明;王坤;薛婷;杨奕;吴建忠 | 申请（专利权）人： | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 泉州市博一专利事务所(普通合伙) 35213 | 代理人： | 洪渊源;苏秋桂 |
| 地址： | 362100 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共用DBR的多波长VCSEL激光器芯片，涉及半导体光电子技术领域，包括衬底以及至少两个堆叠于衬底表面的VCSEL单元；各VCSEL单元自下而上包括底部N型DBR、有源区、掩埋隧穿结和顶部N型DBR；位于下层的VCSEL单元的顶部N型DBR与位于上层的VCSEL单元的底部N型DBR为一体式的共用DBR；与共用DBR相邻的上下两个VCSEL单元的中心波长均位于该共用DBR的阻带范围内，并且位于下层的VCSEL单元的中心波长大于位于上层的VCSEL单元的中心波长。本发明将采用片内集成方式将至少两种不同中心波长的VCSEL单元堆叠集成设计在同一颗VCSEL芯片内，并突破性地采用共用DBR的设计构思对芯片的外延结构进行优化和改进，使得芯片具有结构简单、集成度高、占用空间小、生产成本低和产品可靠性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共用 dbr 波长 vcsel 激光器 芯片 | ||
【主权项】：
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