[发明专利]存储芯片及读操作方法在审
| 申请号： | 202211176332.6 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115512737A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 杜艳强 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C29/44 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 孟霞 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储芯片及读操作方法，该存储芯片包括存储阵列、第一放大锁存模块、第二放大锁存模块、数据修复模块、选择锁存模块、修复控制模块以及第一锁存模块，通过第一放大锁存模块可以锁存待读出数据于数据修复模块的输入之前，同时通过第一锁存模块对冗余替换初始地址数据进行延时，数据修复模块可以同步接收到与冗余替换相关的各种数据，能够更及时地进行每笔待读出数据的冗余替换过程，而不会影响上一次冗余替换过程，这不仅缩短了待读出数据的读取路径，而且提高了每次冗余替换的及时性，进而提高了读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 芯片 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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