[发明专利]一种低噪声高PSRR的LDO电路在审
| 申请号： | 202211177467.4 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115617112A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 万禾湛;王宗民;涂彦杰;杨晓君;于广莹;王磊;李晓博;王秀芝;吕超;孔瀛;莫艳图;宋奎鑫;柏晓鹤;李阳;马佩;曹亦栋 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 李晶尧 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低噪声高PSRR的LDO电路，属于模拟集成电路技术领域；包括带隙基准电路、误差放大器EA、滤波电路、缓冲级BUF、PSRR增强电路、MOS管MP1、MOS管MP2、电阻Ra、电阻Rb、电容CL、电阻RL和电阻Resr；采用由MOS管构成的有源电阻和一个电容组成的RC低通滤波结构，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声功率。误差放大器、输出缓冲级和功率级共同构成三级运放结构，以保证输出电压的稳定。同时采用的PSRR增强电路保证了LDO具有良好的电源抑制比。本发明所述的低噪声高PSRR的LDO电路引入滤波电路和PSRR增强电路，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声，增强了LDO的PSRR。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 psrr ldo 电路 | ||
【主权项】：
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