[发明专利]一种半导体激光器阵列结构在审
| 申请号： | 202211177581.7 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115275785A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 渠红伟;郑美好;周旭彦;张建心;隋佳桐;张宇 | 申请（专利权）人： | 潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/024;H01S5/065;H01S5/068;H01S5/22;H01S5/30 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张冉冉 |
| 地址： | 261000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器技术领域，特别公开了一种半导体激光器阵列结构。它包括边缘发光单元和中心发光单元，在总的发光面积不变的情况下，所述边缘发光单元和中心发光单元进行同样的变形，所有中心发光单元的面积相同且小于边缘发光单元的面积，内侧的边缘发光单元的面积不大于其相邻外侧的面积。本发明在保证发光单元总的发光面积不变的情况下，阵列各发光单元的周期相同，适当增加了边缘发光单元尺寸、适当减小了中心发光单元尺寸，使得整个阵列各个发光单元散热更加均匀，有效改善阵列温度分布均匀性，提阵列波长一致性。同时，本发明把发光单元的形状改为喇叭口形或锥形，可抑制高阶模，减少横向发散角，达到了改善光束质量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 阵列 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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