[发明专利]防止接触孔内粘附层沉积前预清洗时形成水痕的方法在审
| 申请号： | 202211180222.7 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115547812A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 郭海亮;王玉新;姚道州;汪健;季凡 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种防止接触孔内粘附层沉积前预清洗时形成水痕的方法，包括：提供一晶圆，晶圆中的衬底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有接触孔；对晶圆进行预清洗处理，去除接触孔内的自然氧化膜；对晶圆进行三次氮气干燥处理，通过氮气在晶圆表面与接触孔底部形成的伯努利压强差去除预清洗处理在晶圆表面残留的水。在不使用IPA的情形下，仅通过氮气在晶圆表面与接触孔底部形成的伯努利压强差将预清洗处理时残留的水去除，不形成水痕，达到干燥的目的和工艺要求，不影响晶圆制造效率且绿色环保无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 接触 粘附 沉积 清洗 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
