[发明专利]一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法在审
| 申请号： | 202211180490.9 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115505875A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 陈溢杭;郭志达;董剑楠;吴栋;张飞连 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/18;C23C14/34 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 张金龙 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ITO/Ag/ITO薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：提供基片、ITO靶材和Ag靶材；对基片进行清洗处理；采用ITO靶材，按照预设的ITO薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，在通入工作气体和溅射温度为650℃‑700℃下，于基片上镀第一ITO薄膜层；采用Ag靶材，按照预设的Ag薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，在通入工作气体和溅射温度为室温的溅射温度下，于第一ITO薄膜层上镀Ag薄膜层；采用ITO靶材，按照预设的ITO薄膜镀膜参量，调节成膜腔室内的镀膜环境，通入工作气体和溅射温度为室温的溅射温度下，于Ag薄膜层上镀第二ITO薄膜层，得到ITO/Ag/ITO薄膜结构。本发明能够提高薄膜结构的载流子浓度以及ENZ位置蓝移，使得ITO的ENZ特性可以在更短波段处得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ito ag 薄膜 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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