[发明专利]高阶静电消散碳基多元复合薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202211180581.2 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115522162A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陆樟栋 | 申请（专利权）人： | 苏州辉钻纳米新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海复暨知识产权代理事务所(普通合伙) 31449 | 代理人： | 林鹏 |
| 地址： | 215513 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了面向半导体领域的高阶静电消散碳基多元复合薄膜材料及其制备方法，解决了传统薄膜材料如阳极氧化层和特氟龙喷涂层的电阻值过高、表面耐磨性较差、化学及耐温性能不够稳定等综合技术难点。此材料采用了先进的阳极层离子源和非平衡磁控溅射两种不同的混合气相沉积技术，通过在现有的非晶态碳基薄膜材料里额外添加硅、氧、钛元素，研发了特殊的工艺参数，制备出成分和结构改良过的特殊多元复合材料，从而满足了客户定制的综合材料性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 消散 基多 复合 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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