[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211183828.6 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115440703A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘晓阳;王晓光 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/22;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 王军振;刘芳 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体存储技术领域，用于解决磁随机存储器的存储单元的排布密度小的技术问题。该半导体结构包括衬底、多个存储单元及公共源端；每个存储单元分别包括有源柱、磁性隧道结及与磁性隧道结电连接的控制开关，有源柱垂直设置于衬底上；控制开关包括沿有源柱的延伸方向依次设置于有源柱上的源极、垂直环绕栅极和漏极；其中漏极与磁性隧道结电连接，源极位于垂直环绕栅极朝向衬底的一侧；公共源端形成在衬底上，公共源端围设在各有源柱的底端外周壁上，并与各有源柱电连接。本申请实施例中每个存储单元的源极连接至公共源端，可取消相邻两个源线的预留的工艺制作空间，进而提升存储单元的排布密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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