[发明专利]具有稳定结构的高首效硅负极、制备方法及锂离子电池有效
| 申请号： | 202211188987.5 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115275209B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 高剑;高阳;王铭 | 申请（专利权）人： | 四川启睿克科技有限公司;四川长虹电子控股集团有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/38;H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/0525;H01M10/42 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所(有限合伙) 51213 | 代理人： | 胡慧东 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有稳定结构的高首效硅负极、制备方法及锂离子电池，涉及锂电池负极材料技术领域，所述硅负极由内至外依次包括内层未掺杂硅核、梯度双掺杂层以及共嵌入缓冲层，所述内层未掺杂硅核的厚度为0.1nm~3nm，所述梯度双掺杂层由梯度原子掺杂层和梯度氧化物掺杂层组成，所述梯度双掺杂层的厚度为70nm~95nm，所述共嵌入缓冲层由刚性羧基化预锂层和柔性介孔碳组成，所述共嵌入缓冲层的厚度为3nm~7nm。本发明中梯度氧化物掺杂层减缓了硅负极由内向外的应力集中，并协同利用酯化、羧基化等分子级别的反应所构建的共嵌入缓冲层，有效提升了硅负极的结构稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 稳定 结构 高首效硅 负极 制备 方法 锂离子电池 | ||
【主权项】：
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