[发明专利]太阳电池叠层原位掺杂层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211191700.4 申请日: 2022-09-28
公开(公告)号: CN115440852A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 桑雪岗;章晖;钟文兵;戴虹;奚明 申请(专利权)人: 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/068
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 吴浩
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种太阳电池叠层原位掺杂层及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1:将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内;S2:在所述炉管内通入硅烷、磷烷和氩气,同时控制所述炉管内压力恒定;S3:对所述硅片进行辉光放电,获得叠层原位掺杂层,所述叠层原位掺杂层包括至少2个膜层;S4:辉光放电完成后,将所述炉管抽真空;S5:使用氮气或氩气吹扫所述炉管;S6:吹扫完成后,将所述炉管抽真空;S7:使所述炉管内的压力恢复正常大气压;S8:将石墨舟从所述炉管里取出。本发明制备的太阳电池叠层原位掺杂层包括至少2个膜层,可以对各个膜层的掺杂浓度及厚度进行控制。
搜索关键词: 太阳电池 原位 掺杂 及其 制备 方法
【主权项】:
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