[发明专利]太阳电池叠层原位掺杂层及其制备方法在审
申请号: | 202211191700.4 | 申请日: | 2022-09-28 |
公开(公告)号: | CN115440852A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 桑雪岗;章晖;钟文兵;戴虹;奚明 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 吴浩 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种太阳电池叠层原位掺杂层及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1:将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内;S2:在所述炉管内通入硅烷、磷烷和氩气,同时控制所述炉管内压力恒定;S3:对所述硅片进行辉光放电,获得叠层原位掺杂层,所述叠层原位掺杂层包括至少2个膜层;S4:辉光放电完成后,将所述炉管抽真空;S5:使用氮气或氩气吹扫所述炉管;S6:吹扫完成后,将所述炉管抽真空;S7:使所述炉管内的压力恢复正常大气压;S8:将石墨舟从所述炉管里取出。本发明制备的太阳电池叠层原位掺杂层包括至少2个膜层,可以对各个膜层的掺杂浓度及厚度进行控制。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 原位 掺杂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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