[发明专利]一种基于IGBT高温特性的有限元建模方法及系统有效

专利信息
申请号: 202211194490.4 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115310336B 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 李伟聪;姜春亮;雷秀芳 申请(专利权)人: 深圳市威兆半导体股份有限公司
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 张树朋
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种基于IGBT高温特性的有限元建模方法及系统,其中,方法包括:构建IGBT的实体模型;对实体模型进行网格划分,获取多个第一有限元单元;定义各个第一有限元单元的发热参数并定义第一有限元单元的第一类温度传递参数,获得初始模型;在初始模型外侧构建多个虚拟的第二有限元单元,获取初始模型的设置环境;基于设置环境,定义第二有限元单元的第二类温度传递参数,获得最终模型。本发明的基于IGBT高温特性的有限元建模方法,实现构建IGBT的用于高温特性分析的有限元模型。
搜索关键词: 一种 基于 igbt 高温 特性 有限元 建模 方法 系统
【主权项】:
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