[发明专利]铋碲硫半导体、制备方法及光电器件在审
| 申请号： | 202211203945.4 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115537930A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 钟绵增;张芬;夏庆林;束传存;何军 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B29/62;C30B25/00;C30B7/10;C30B23/02;C30B25/02;C30B28/04;C30B28/12;C30B28/14;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/0352;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙知行亦创知识产权代理事务所(普通合伙) 43240 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 410000*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种铋碲硫半导体、制备方法及光电器件。铋碲硫半导体为晶体，铋碲硫半导体的化学结构式为Bi |
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| 搜索关键词： | 铋碲硫 半导体 制备 方法 光电 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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