[发明专利]光掩模和光掩模的制造方法在审
| 申请号： | 202211206308.2 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115903366A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 加藤和男 | 申请（专利权）人： | 株式会社SK电子 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/26;G03F1/32;G03F1/54;G03F1/68 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光掩模和光掩模的制造方法，具有半透光图案的光掩模能够在光刻步骤中有效地降低来自光掩模的曝光光线的反射。本发明的光掩模，在透明基板(1)上具有由半透光膜(6)构成的半透光图案(6a)，和由第1反射抑制膜(2)、遮光膜(3)以及第2反射抑制膜(4)的层叠遮光膜(30)构成的层叠遮光图案(30a)，半透光膜(6)的光密度低于层叠遮光膜(30)的光密度，第1反射抑制膜(2)与透明基板1接触，构成为对于波长在365nm至436nm的范围内的曝光光线，来自正面的层叠遮光图案(30a)的反射率为15％以下，来自背面的层叠遮光图案(30a)的反射率为5％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
