[发明专利]高纯三氯氢硅的制备方法及装置在审
| 申请号： | 202211207232.5 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN116022789A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张燕南;郭树虎;万烨;赵雄;赵宇;王磊;常欣;袁振军;王国元;张兴毅;郭克涛;郭武辉 | 申请（专利权）人： | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王守梅;袁文婷 |
| 地址： | 471027 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯三氯氢硅的制备方法及装置，通过两级减压精馏即可获得电子级三氯氢硅。与现有技术提纯三氯氢硅相比，本发明通过仅需两级减压蒸馏即可达到常压三至五级精馏效果，获得电子级三氯氢硅的同时大大降低了能耗以及生产成本；通过两级减压精馏，明显提升了三氯氢硅产品的组分纯度，大幅度降低了B、P、Cu等金属痕量杂质的含量，获得适用于12寸硅片外延场景的三氯氢硅。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 三氯氢硅 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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