[发明专利]一种基于金刚石的横向JFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211207684.3 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115832060A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 马中发 | 申请（专利权）人： | 中科苏州微电子产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/16;H01L21/337 |
| 代理公司： | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金刚石的横向JFET器件及其制造方法，它由下至上依次包括由金刚石形成的体电极、衬底，形成于所述衬底上端面上且位于其上端面中间段的沟道区、分别形成于所述衬底上端面上且位于其上端面两端部的源极和漏极、分别形成于所述源极和所述漏极上的源电极和漏电极、形成于所述沟道区上端面上且位于所述源电极和所述漏电极之间并与所述源电极和所述漏电极相离的栅极。该器件仅对沟道区的宽度进行设计要求，满足器件耐压特性，器件的结构很简单，有易制作的特性；其不同区掺杂类型n和p互换的话可以制造对称的n型和p型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金刚石 横向 jfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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