[发明专利]具有自检漏和温度控制功能的硅漂移探测器及探测器系统在审
申请号: | 202211207898.0 | 申请日: | 2022-09-30 |
公开(公告)号: | CN115440827A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 赵珍阳;范茂军;赵英勃;赵玉新;侯维杰 | 申请(专利权)人: | 山东东仪光电仪器有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/024;H01L31/115;H01L25/16 |
代理公司: | 深圳市深弘广联知识产权代理事务所(普通合伙) 44449 | 代理人: | 向用秀 |
地址: | 264000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开一种具有自检漏和温度控制功能的硅漂移探测器及探测器系统,壳体的容置腔内准直器与硅漂移探测元件连接;放大器与硅漂移探测元件电连接,用于放大硅漂移探测元件的输出信号;陶瓷基座与硅漂移探测元件连接,设置于硅漂移探测元件远离准直器的一侧;其中,陶瓷基座的表面设置有至少两个凹槽,凹槽内嵌合有绝压传感器和/或温度传感器,绝压传感器和温度传感器用于向外界输出压力信号和温度信号;制冷器设置于陶瓷基座远离硅漂移探测元件的一端,用于对壳体内部进行温度保持;合理设计绝压传感器和温度传感器的安装位置,在不增加整体设计体积,并保证内部构造不发生结构干涉的情况下,提供具有自检漏以及温度控制功能的硅漂移探测器。 | ||
搜索关键词: | 具有 检漏 温度 控制 功能 漂移 探测器 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的