[发明专利]一种建立描述磁流变阻尼器磁滞行为的新参数模型的方法在审
| 申请号： | 202211208215.3 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115563767A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张广;陈俊宇;张晋宁;张征;孙敏 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06N3/12;G06F113/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 汤明 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及智能材料领域，尤其是涉及一种建立描述磁流变阻尼器中磁流变液磁滞行为的新参数模型的方法。所提出的参数模型根据磁流变液的滞后响应得到，首先根据LAOS实验，得到磁流变液的滞回曲线，通过改变振幅、频率、电流得到多组数据。使用遗传算法确定模型参数，采用均方根误差作为评价标准，并将建模结果与Bouc‑Wen模型和Dahl模型进行比较。结果表明，所提参数模型可以高精度地预测磁流变液的磁滞现象，对于捕捉滞回曲线中应变软化/硬化特性具有良好的效果。最后，通过拟合不同电流下的参数值实现参数识别。完成了模型构建中从提出到验证的整个流程，形成了整套方法论。本发明所提参数模型也将为实际应用中磁流变阻尼器的半主动控制提供理论指导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 建立 描述 流变 阻尼 器磁滞 行为 参数 模型 方法 | ||
【主权项】：
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