[发明专利]量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片在审
申请号: | 202211215563.3 | 申请日: | 2022-09-30 |
公开(公告)号: | CN115568276A | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 高然;邓纯青 | 申请(专利权)人: | 阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司 |
主分类号: | H10N60/01 | 分类号: | H10N60/01;H10N60/12;H10N60/82;H10N60/85;G06N10/40 |
代理公司: | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人: | 曾红芳 |
地址: | 310023 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片。其中,该方法包括:依次在衬底的不同区域上得到多个超导材料层,其中,多个超导材料层分别包括沉积在衬底上的超导材料以及覆盖在对应超导材料上的硬掩膜,多个超导材料层中的超导材料包括具有动力学电感的超导材料;刻蚀掉多个超导材料层上的硬掩膜,得到集成在衬底上的多个目标电路元件;基于多个目标电路元件制备目标量子器件。本发明解决了难以实现超导量子器件的制备的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 量子 器件 制备 方法 超导 电路 芯片 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司,未经阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211215563.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。