[发明专利]向量乘加器的SRAM模拟存内计算装置和电子设备在审

专利信息
申请号: 202211217034.7 申请日: 2022-09-30
公开(公告)号: CN115658012A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 张钟宣;张海清;艾力;徐康健 申请(专利权)人: 杭州智芯科微电子科技有限公司
主分类号: G06F7/575 分类号: G06F7/575;G06F7/544
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 焦志刚
地址: 311200 浙江省杭州市萧*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请实施例提供一种向量乘加器的SRAM模拟存内计算装置和电子设备,涉及存内计算技术领域,可以简化存内计算装置的电路结构。存内计算装置包括:n个单比特输出模块,每个单比特输出模块包括乘法单元,乘法单元包括存储器和乘法电路,乘法电路的第二乘法输入端电连接于存储器的输出端,乘法电路用于对第一乘法输入端和第二乘法输入端的数值进行乘法计算并通过乘法输出端输出结果至单比特输出模块的输出端;第一加法器,第一加法器包括模拟加法电路,第一加法器包括n个第一加法输入端,第a个第一加法输入端电连接于第a个单比特输出模块的输出端;移位累加器,用于周期性对第一加法器的输出结果进行单比特移位累加计算。
搜索关键词: 向量 乘加器 sram 模拟 计算 装置 电子设备
【主权项】:
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