[发明专利]一种表面两性离子化有机硅防污涂层及制备方法有效

专利信息
申请号: 202211218610.X 申请日: 2022-10-06
公开(公告)号: CN115595063B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 王君;王志欣;宋大雷;陈蓉蓉;刘琦;刘婧媛;于静;朱佳慧;孙高辉 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: C09D183/08 分类号: C09D183/08;C09D5/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种表面两性离子化有机硅防污涂层及制备方法。本发明首先以羟基封端的聚二甲基硅氧烷和N‑氨乙基‑3‑氨丙基甲基二甲氧基硅烷为原料,四甲基氢氧化铵为催化剂,制备一系列含不同比例氨基侧链的聚二甲基硅氧烷树脂;然后以3‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷作固化剂使侧链氨基改性的聚二甲基硅氧烷交联固化;之后将固化的有机硅涂层浸泡在1,3‑丙烷磺酸内酯的丙酮溶液中进行离子化。对于两性离子化的聚二甲基硅氧烷既保留了有机硅材料低表面能的特性而且其表面的两性离子链可以形成水化层减少藻类等海洋污损生物的附着。
搜索关键词: 一种 表面 两性 离子化 有机硅 防污 涂层 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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