[发明专利]基于垂直排列的碳纳米管的应变传感器在审
| 申请号： | 202211221520.6 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115993085A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王晓毅;邓洋;于宏宇 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;林文 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种制造应变传感器的方法。该方法包括：在形成在硅晶片的顶表面上的氧化硅隔离层的顶表面上生长具有图案的铁(Fe)薄催化层；在铁(Fe)薄催化层的顶表面上合成多个垂直排列的碳纳米管(VACNT)，以形成应变传感器的电极；形成设置在多个VACNT中的相邻VACNT上并且在该相邻VACNT之间的第一聚二甲基硅氧烷(PDMS)层；将第一PDMS层和嵌于第一PDMS层中的多个VACNT从氧化硅隔离层的顶表面剥离；以及在嵌入第一PDMS层中的多个VACNT的底表面上形成第二PDMS层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 垂直 排列 纳米 应变 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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