[发明专利]具有化学涂覆凸块键合件的电子器件在审
| 申请号： | 202211233655.4 | 申请日： | 2022-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN115995397A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | N·达沃德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;C25D3/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请题为“具有化学涂覆凸块键合件的电子器件”。一种用于在锡(Sn)电解液中蚀刻管芯(100)的系统和方法。管芯(100)包括硅晶片(102)和设置在硅晶片(102)上的扩散阻挡(108)。铜籽晶层(110)设置在扩散阻挡(108)上，并且至少一个铜凸块键合件(112)设置在铜籽晶层(110)的一部分上。锡层(118)设置在至少一个铜凸块键合件(112)的侧壁(120)上。锡层(118)在对铜籽晶层(110)的蚀刻工艺期间抑制至少一个铜凸块键合件(112)的侧壁(120)的蚀刻以去除铜籽晶层(110)的暴露部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 化学 涂覆凸块键合件 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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