[发明专利]塑封空腔结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202211242809.6 申请日: 2022-10-11
公开(公告)号: CN115818559A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 陈先明;冯磊;赵江江;黄本霞;黄高;洪业杰 申请(专利权)人: 珠海越亚半导体股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 李翔
地址: 519175 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种塑封空腔结构及其制作方法,所述塑封空腔结构包括具有沿高度方向分别贯穿绝缘层的第一空腔和第一导通柱的嵌埋封装框架;设置在所述第一空腔内的芯片组;设置在所述嵌埋封装框架上表面的第一线路层;设置在所述第一线路层上的第一介质层;设置在所述第一介质层上的第二线路层;贯穿所述第一介质层和所述绝缘层的通孔;在所述嵌埋封装框架下表面的第三线路层;在所述第三线路层上的支撑柱围墙;以及沿所述支撑柱围墙外侧形成的塑封层;其中在所述塑封层与所述嵌埋封装框架的下表面之间形成有与所述通孔连通的第二空腔,以及所述芯片组包括背靠背层叠设置的第一芯片和第二芯片。
搜索关键词: 塑封 空腔 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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