[发明专利]硅光电倍增管辐照损伤效应的检测补偿装置在审

专利信息
申请号: 202211243069.8 申请日: 2022-10-11
公开(公告)号: CN115524740A 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 郑煦韬;曾鸣;温家星;冯骅;曾志 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01T7/00 分类号: G01T7/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开涉及一种硅光电倍增管辐照损伤效应的检测补偿装置,通过电压调整模块采集硅光电倍增管的阳极电压以得到硅光电倍增管的暗电流,并在硅光电倍增管的两端偏压偏离目标偏置电压预设范围的情况下,调整电源模块的输出电压,以使得硅光电倍增管的两端偏压在目标偏置电压预设范围内,从而实现硅光电倍增管的暗电流的检测及SiPM两端偏置电压的补偿;利用信号采集模块对硅光电倍增管的暗计数噪声进行测量,并根据测量得到的噪声适应性调整信号采集模块的信号采集触发阈值,使得信号采集模块在第一电容传来的信号的幅度大于或等于信号采集触发阈值的情况下,进行信号采集,降低噪声误触发的几率。
搜索关键词: 光电倍增管 辐照 损伤 效应 检测 补偿 装置
【主权项】:
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