[发明专利]一种对外延膜厚进行监控的设备及方法在审
| 申请号： | 202211245097.3 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115547868A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 丁欣;缪燕 | 申请（专利权）人： | 上海埃延半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种对外延膜厚进行监控的设备及监控方法，该设备包括：光学系统，其与外延腔体连接，所述光学系统被配置为通过红外光线测量外延腔体内衬底的外延膜厚；以及多个外延腔体，所述外延腔体被配置为容纳衬底，其中所述外延腔体包括光纤集成板，所述光纤集成板包括：光纤接线柱，其通过光纤与所述光学系统连接，并且所述光纤接线柱被配置为使得红外光线通过固定角度射入和\或射出所述外延腔体。本发明可以在外延设备的多个腔体中实时监控外延膜厚，并且根据监控数据对外延工艺进行实时调整，并且通过在多个腔体上设置光纤集成板，在降低了光程差的同时也大大提高了测量的准确性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 进行 监控 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
