[发明专利]p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法

摘要

一种p‑NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的GaN电子注入层、多量子阱有源发光层、p型掺Mg的AlzGa1‑zN电子限制层、p‑NiO盖层、上电极和下电极构成。有源发光层依次由蓝光Aly1Ga1‑y1N载流子限制层、蓝光多量子阱Inx1Ga1‑x1N材料有源发光层、黄光Aly2Ga1‑y2N载流子限制层、黄光多量子阱Inx2Ga1‑x2N材料有源发光层组成。本发明利用了p‑NiO高空穴浓度、带隙宽和折射率低的特点，使器件有良好的空穴注入及光和载流子限制，减少高温生长对有源发光层的影响，提高了器件性能。