[发明专利]一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合理调控掺杂浓度和i型氧化镓层的厚度，使得作为主要吸光层的i型氧化镓层全耗尽。随后在pin异质结上分别制备p型氮化镓和n型氧化镓的欧姆接触，即可获得基于氧化镓的pin异质结光电探测器。对比常规的氧化镓基pn异质结光电探测器，本发明中制备的pin异质结光电探测器具有优异的器件性能，包括更短的响应时间、更大的响应度、更大的光暗电流比、良好的瞬态响应特性和稳定性。