[发明专利]一种具有P型栅的增强型GaN器件在审
| 申请号： | 202211249361.0 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115548106A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 易波;徐艺;张芷宁 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/778 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，提供一种具有P型栅的增强型GaN器件，用于解决现有器件存在的如栅压摆幅窄、栅极漏电大、工艺要求高、比导通电阻高、成本高、电热稳定性差等诸多问题。本发明采用绝缘栅介质层、P型宽禁带半导体层与金属栅极由下往上依次层叠构成的新型MIS栅极部，利用高的功函数差耗尽其下方的高浓度二维电子气，在厚势垒层设计下获得增强型器件；并且，P型宽禁带半导体层与势垒层之间设置栅介质层，阻止P型宽禁带半导体层向势垒层注入空穴，从而获得极低的栅极漏电；最终本发明的增强型GaN器件具有栅压摆幅大、栅极漏电低、沟道比导通电阻小、阈值电压一致性高、工艺简单、成本低、稳定性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 增强 gan 器件 | ||
【主权项】：
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