[发明专利]垂直腔面射型半导体激光二极体在审
| 申请号： | 202211253974.1 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115967008A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 戴文长;黄朝兴;金宇中;温凡健 | 申请（专利权）人： | 全新光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直腔面射型半导体激光二极体，包含基板以及在基板之上的磊晶堆叠结构，磊晶堆叠结构包含主动区、一电流局限层以及一模态过滤层，其中，该模态过滤层具有一光学孔径，该模态过滤层能被氧化，该模态过滤层经过氧化处理而形成该光学孔径。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 腔面射型 半导体 激光 二极体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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