[发明专利]制备铂基高自旋霍尔角材料的方法、合金薄膜及应用在审
| 申请号： | 202211258641.8 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN116145262A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 朱礼军;林鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B23/02;C30B28/12;H10N52/01;H10N52/85 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊晓 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备铂基高自旋霍尔角材料的方法、合金薄膜及应用，该方法，包括在铂基金属膜的生长过程中，通过添加杂质，使杂质与铂形成具有多晶或单晶结构的合金薄膜；其中，杂质为非铂的金属、金属的碳化物、金属的氮化物或金属的氧化物以及硅或硅的化合物中的一种或多种；杂质的体积百分比为1％‑60％；铂基金属膜中的铂用于提供自旋霍尔效应；杂质用于增强铂基金属膜中铂的电子散射和电阻率。本发明提供合金薄膜具有低电阻率、巨大自旋霍尔角、均匀平整、成本低廉、结构和性质稳定、兼容集成电路和CMOS半导体工艺等优势。基于该合金薄膜发展的磁随机存储器、振荡器、逻辑器件、赛道存算器件等器件，具有高能效、长寿命、低阻抗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 铂基高 自旋 霍尔 材料 方法 合金 薄膜 应用 | ||
【主权项】：
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