[发明专利]一种多活性组元钎料及原位生成高熵陶瓷相接头的方法在审
| 申请号： | 202211264149.1 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115464302A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李文文;熊华平;任新宇 | 申请（专利权）人： | 中国航发北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | B23K35/30 | 分类号： | B23K35/30;B23K35/32;C04B37/00 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 100095 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多活性组元钎料，所述多活性组元钎料包括选自Ti、Zr、Hf、Nb和V中的任意四种或全部的活性组元，每种活性组元在所述钎料中的质量百分含量为5％～35％，并且活性组元在所述钎料中的总质量百分含量为70％～90％，余量为Ni和/或Co，所述钎料的熔点调控为1150～1280℃。本发明还涉及采用所述多活性组元钎料原位生成高熵陶瓷相接头的方法。本发明通过活性元素与SiC陶瓷的界面反应，在接头内部原位生成四元或五元的高熵碳化物陶瓷相，提高接头耐高温性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 活性 组元钎 料及 原位 生成 陶瓷 相接 方法 | ||
【主权项】：
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