[发明专利]一种多沟道GaN HEMT器件及制作方法在审
| 申请号： | 202211268736.8 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115332322A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 高旭 | 申请（专利权）人： | 武汉派思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 武汉大楚知识产权代理事务所(普通合伙) 42257 | 代理人： | 徐杨松 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多沟道GaN HEMT器件及制作方法，多层沟道结构为交替的势垒层与沟道层，且多层沟道结构的底层和顶层均为势垒层；高阻缓冲层的上表面位于多层沟道结构的底层势垒层中生长有底栅控制层，多层沟道结构的顶层势垒层的上表面位于介质掩膜层中生长有顶栅控制层，栅电极用于连通底栅控制层和顶栅控制层，栅电极外包裹有用于隔离多层沟道结构的隔离介质层。多沟道GaN HEMT器件进一步降低了器件导通电阻，同时引入底栅控制结构，解决了顶栅结构对多沟道结构控制能力差的问题，相对于Fin结构提升栅对多沟道控制能力的结构，器件传输截面显著提升，更加有利于高压大电流器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 gan hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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