[发明专利]一种3D存储阵列及其制备方法、电子设备在审
| 申请号： | 202211275548.8 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN116209254A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;余泳;梁静 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 吴凤凰;栗若木 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 3D存储阵列及其制备方法、电子设备，3D存储阵列包括：多层垂直堆叠的存储阵列，多条垂直延伸的写字线；存储阵列包括阵列分布的多个存储单元、多条读位线和多条写位线，存储单元包括：第一晶体管和水平沟道的第二晶体管，第一晶体管包括第一栅极、第一电极、第二电极和第一半导体层；第二晶体管包括第三电极、第四电极、沿垂直于衬底方向延伸的第二栅极，以及，环绕第二栅极的第二半导体层，第一栅极与第二半导体层连接；不同层相邻的存储单元的第二栅极连接同一写字线；同层同列的存储单元的第一电极连接同一读位线，第四电极连接同一写位线。本实施例提供的方案，提供一种新型的存储阵列结构设计，有利于实现结构简单且制作较容易的3D存储阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 阵列 及其 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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