[发明专利]一种GaAs基霍尔器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202211278733.2 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115843211A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 黄治浩;魏鸿基;何先良;胡中文 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10N52/00 | 分类号： | H10N52/00;H10N52/85;H10N52/01;H10N52/80 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs基霍尔器件，其外延结构由下至上包括衬底、缓冲层、功能层、第一掺杂帽层和第二掺杂帽层，第二掺杂帽层开设有开口，开口内设有与第一掺杂帽层形成欧姆接触的金属电极；其中第一掺杂帽层与功能层具有相同掺杂类型，且第一掺杂帽层的掺杂浓度高于功能层，第二掺杂帽层与第一掺杂帽层的掺杂类型相反。本发明还提供了其制作方法。本发明减小了接触势垒对霍尔电压及敏感度影响，并且减小了自由载流子对hall器件敏感度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 霍尔 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司，未经厦门市三安集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211278733.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
