[发明专利]一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器在审

专利信息
申请号: 202211280204.6 申请日: 2022-10-19
公开(公告)号: CN115657393A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 戴道锌;宋立甲 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02F1/21 分类号: G02F1/21;G02F1/225
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器。输入波导区的N条输入波导与N×2输入光耦合器的N个输入端口分别对应连接,N×2输入光耦合器、两个输出端口分别经第一干、第二干涉臂与2×M输出光耦合器的两个输入端口相连,输出波导区的M条输出波导与2×M输出光耦合器的M个输出端口分别对应连接;第一、第二干涉臂为宽波导;N×2输入光耦合器与2×M输出光耦合器完全不同,当N=1则M=2;当N=2则M=1。本发明无需施加其他控制装置进行工作点的调整与稳定,且工作点不随时间、震动和温度等外界因素影响,可长期稳定在线性工作区中心位置保持不动,方案对加工误差有较大的容忍度,为大规模生产铺平了道路。
搜索关键词: 一种 偏置 调控 薄膜 铌酸锂 马赫 曾德尔 电光 调制器
【主权项】:
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