[发明专利]一种Taiko减薄晶圆的去环方法在审
| 申请号： | 202211287584.6 | 申请日： | 2022-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN115565864A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 朱田;谭秀文;许有超;肖酉;孙运龙 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/38;B23K26/70 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种Taiko减薄晶圆的去环方法，包括采用Taiko减薄工艺对晶圆背面进行减薄；设定激光光源的位置并调整激光光斑直径；用激光轰击晶圆，在Taiko环与晶圆之间形成切割道；将激光光源的位置向晶圆方向移动一预设距离，然后继续用激光轰击晶圆；继续移动轰击直至切割道变宽；通过取环工艺移除Taiko环。本发明采用多步激光切割的方式来扩大切割道宽度，解决了目前Taiko环去环工艺容易导致晶圆出现裂纹和碎片的问题，避免了去环时裂纹和碎片现象的发生，降低了晶圆边缘裂纹率，提高了去环工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 taiko 减薄晶圆 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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