[发明专利]一种半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211291561.2 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115663015A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王玮竹;许东;沈硕珩;江灵荣;任芳;尚金铭 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：衬底层、埋氧层、第一基层、第二基层、第一器件结构和第二器件结构，第一基层上设置三五族化合物半导体层，第一器件结构基于三五族化合物半导体层形成，第一基层材料为金刚石薄膜。本发明通过在单片集成单元中采用金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高了三五族化合物器件与其他器件之间的电绝缘隔离性能，减少寄生器件或漏电流，提高单片集成单元的可靠性；同时金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高三五族化合物器件的散热效率，加强单片集成单元在大功率器件领域的应用适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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