[发明专利]高电压半导体装置在审
| 申请号： | 202211297210.2 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN116072599A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 拉尔斯·穆勒-梅什坎普;拉尔夫·鲁道夫;迪尔克·普列费特;安内特·文策尔;托马斯·金齐格;克里斯蒂安·希佩尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;谢琳 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置(500)包括半导体层(100)，半导体层(100)具有内部部分(110)、横向围绕内部部分(110)的外部部分(130)以及横向围绕内部部分(110)并将内部部分(110)与外部部分(130)隔开的过渡部分(120)。第一电子元件(210)包括形成在内部部分(110)中的第一掺杂区(211)和形成在外部部分(130)中的第二掺杂区(212)。第一电子元件(210)被配置成至少暂时地阻断施加在第一掺杂区(211)与第二掺杂区(212)之间的电压。沟槽隔离结构(400)从半导体层(100)前侧的第一表面(101)延伸到半导体层(100)中，并且分割内部部分(110)、过渡部分(120)和外部部分(130)中的至少一者。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
