[发明专利]一种光电晶体管、制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种光电晶体管、制备方法及其应用，所述光电晶体管自下而上包括：底栅，介电层，沟道导电层，源电极和漏电极，所述源电极和漏电极位于沟道导电层两侧。传统的制备流程生长的三元合金薄膜通常呈现固定的组分，往往需要薄膜转移工艺(干法转移、湿法转移等)来进一步构建异质/同质结。本发明制作的MoS2(1‑x)Se2x光电晶体管采用化学溶液沉积法(CSD)一步沉积在硅衬底上，形成有边缘向中心具有厚度渐变和Se组分渐变特点的薄膜，从而得到平面内同质结和强内建电场。相比传统方法，极大简化了制备流程，降低了器件制备的复杂度，并提高了器件性能。