[发明专利]一种基于复合半导体层的垂直EGT及其制备方法在审
| 申请号： | 202211309205.9 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115656297A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 徐洁;黄伟;解淼;程玉华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于复合半导体沟道的EGT及其制备方法，主要包括衬底、源极、复合半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；在制备过程中，采用垂直结构的方式先制备衬底，并对衬底进行清洗并干燥；接着依次在衬底上制备源极，在源极上制备复合半导体层，在多孔半导体层上制备漏极，在衬底上制备封装层，并暴露出位于漏极与源极重叠部分，在漏极上方制备电解质层，最后制备与电解质层相连的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 半导体 垂直 egt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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