[发明专利]一种肖特基二极管、制备方法及芯片在审
| 申请号： | 202211310500.6 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115663016A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王威;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种肖特基二极管、制备方法及芯片，肖特基二极管包括：半导体衬底、沟道层、第一势垒层、第二势垒层、第一P柱、第二P柱、阴极电极单元以及阳极电极单元；本申请通过设置阳极电极单元为肖特基金属，且阳极电极单元与第一P柱、第二P柱接触，使得是阳极电极单元与第一P柱之间为肖特基接触，阳极电极单元与第二P柱之间为肖特基接触，可以使得阳极电极单元与第一P柱、第二P柱之间存在较高的肖特基势垒高度，进而减小阳极电极单元的泄漏电流，提供较高的正向阈值电压，从而提升肖特基二极管的击穿电压电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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