[发明专利]具有不同深度特征的半导体元件结构的制备方法在审
| 申请号： | 202211311870.1 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN116453946A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/033 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件结构的制备方法，包括形成一目标层在一半导体基底上；以及形成一第一能量敏感图案在该目标层上。该制备方法亦包括形成一加衬层以覆盖该第一能量敏感图案；以及形成一第二能量敏感图案在该加衬层上。该第一能量敏感图案与该第二能量敏感图案交错排列。该制备方法还包括执行一蚀刻工艺以形成一第一开口以及一第二开口在该目标层中。该第一开口与该第二开口具有不同深度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 深度 特征 半导体 元件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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